Design Solution Forum 2021 -創ろう、拡げよう、設計者ネットワーク!-
Design Solution Forum

DSF2021は無事開催を終了いたしました。
沢山の方にご参加/ご登録いただきありがとうございました。来年も開催予定ですのでどうぞよろしくお願い申し上げます。

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ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社

https://www.winbond.com/hq/?__locale=ja
mkt_online.jp@winbond.com

[先進的なメモリ製品の信頼できるサプライヤー]

ウィンボンド・エレクトロニクスは、組込み向けDRAMとFLASHメモリを設計・製造・販売、”長期供給”をモットーにしている台湾の企業です。
2016年、イスラエルに拠点をおく弊社R&Dは、現在ホットになりつつある各業界のセキュリティ法規・標準化動向を予測し、あらゆる電子機器のコードとデータのストレージとして必須なフラッシュメモリに、強度の高い完全デジタルハードウェアセキュリティロジックを融合したセキュアフラッシュメモリという新カテゴリ製品を開発しました。高セキュリティと中程度のセキュリティ要件と幅広く対応できる製品をラインアップし、柔軟な"Security By Design"に対するセキュリティサブシステム設計をサポートします。外部認証ラボにより検証・認定を取得し、さらに車載システムの機能安全上の指標であるASIL認証も取得したことにより、Trustworthyなメモリソリューションを提供します。

製品概要

製品名

W75F セキュアメモリエレメント

外付けSPI NORフラッシュメモリとしてCC/EAL5+認証取得した製品です。外付けでありながら金融系重要データ、プライバシーデータ、人工知能アルゴリズム、鍵や証明書を安全に保存することができます。
また、車載システムの機能安全指標であるASIL (Automotive Safety Integrity Level)においても最高ランクのASIL-D認証を取得し、高セキュリティ・機能安全を求めるアプリケーションに最適です。

ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社
機能安全とセキュリティのサブシステムを高次元で実現
ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社
W75Fの脅威モデルと保護機能
技術記事:車載電子システムに潜むセキュリティリスク
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製品名

W77Q セキュアフラッシュメモリ

標準SPI NORフラッシュメモリのピン配置・パッケージ・命令セットを100%継承しつつ、完全ハードウェアセキュリティロジックを1チップ化。NIST SP800-193に準ずるプラットフォームファームウェアレジリエンシーのコンセプトも取り入れた新世代セキュアフラッシュメモリです。ノンセキュアなフィールド下でもインクリメンタルにセキュリティ機能をアップグレード可能。ソフトウェアライブラリもセットで提供します。

ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社
既存のICT機器をサイバーセキュリティ対応品にグレードアップ
ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社
横断的なセキュリティ要件に対応するW77Q
技術記事:”セキュリティロジック内蔵SPIフラッシュメモリ” という新発想ーSoCの高集積化とソフトウェア価値の増大の渦中に追従可能なハイセキュリティかつコスト競争力、スケーラビリティを提供するW75Fセキュアフラッシュメモリ
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製品名

W76S セキュアエレメント

W76Sは耐タンパCPU Arm SC000コアを搭載し、リッチな暗号アクセラレータをも内蔵した小型パッケージのセキュアマイコン(セキュアエレメント)です。CC/EAL5+、EMVco、CNCA認証を取得。耐タンパコード&データストレージは業界クラスの4倍の容量を持ち、ソフトウェアの冗長化設計やセキュアデータストレージとしての拡張性を提供します。暗号アクセラレータは高速暗号計算を行い、スムースかつ安全にセキュアアプリケーションを実行します。

ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社
アクティブに暗号計算が可能 CC/EAL5+認証取得セキュアエレメント
ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社
W76Sで取得した第三者認証証明書
製品名

HyperRAM

●高性能、低消費電力、省スペースなRAM

ウィンボンドのHyperRAM™製品は、IoTやコンシューマ機器、車載、産業機器において従来のpseudo-SRAMに代わるコンパクトな代替品を提供します。ウィンボンドの25nmプロセスによって製造され、容量は256Mビットおよび512Mビットまで拡張可能です。

超低消費電力:
ウィンボンドのハイブリッドスリープモード(HSM) は待機時消費電力を45μWに抑え、動作電力は同等のpSRAM製品の半分以下です。

設計の簡素化:
pSRAMの信号ピンが31本であるのに対し、HyperRAM™はわずか13本の信号ピンしかありません。これにより、ボードのレイアウト設計と製造が大幅に簡素化されます。

省スペース:
パッケージのピン数が少なく、また、ホストコントローラーへの接続数が少ないため、メモリシステムのボードフットプリントが削減され、スマートウォッチなどのコンシューマ機器における省スペースを実現します。

ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社
サイズと消費電力を削減しつつ性能の向上を実現!
ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社
豊富なパッケージオプション
技術記事:HyperRAM_IoTアプリケーションに最適なDRAMの選択
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製品名

シリアルNANDフラッシュ(QspiNAND & OctalNAND)

OctalNANDフラッシュメモリ

近年、NORフラッシュメモリにおいてスケーリングが限界を迎えつつあり、512Mビット以上の容量帯では車載や産業機器向けを中心に、特にコスト効率の低下が問題視されています。ウィンボンドはこの問題を解決すべく新たにOctalNANDを開発しました。NANDフラッシュメモリとして世界初のオクタル・インターフェースを持つウィンボンドのOctalNANDは、お客様に特別な追加費用なしで大容量コードストレージを提供します。

OctalNAND/W35N-JWファミリは、誤作動の許されない車載や産業機器用アプリケーションに必要な高耐久性と高信頼性を達成するため、ウィンボンドの46nmシングル・レベル・セル(SLC)NANDプロセスによって製造され、10年のデータ・リテンションと 10万回のプログラム/イレースサイクルを提供します。

1GビットのW35N01JWはオクタル・インターフェースを持つ世界初のNAND製品です。連続読出しスループットは最大240Mバイト/秒であり、既存のQspiNANDフラッシュメモリ/W25N-JWファミリの3倍高速です。

QspiNANDフラッシュメモリ

新製品W25N01JW / W25N02JWは、ウィンボンド・エレクトロニクス独自の46nm製造プロセスを用いて構築されたSLC(シングルレベルセル)シリアルNANDフラッシュです。 SLC NANDは、大容量MLC(マルチレベルセル)やTLC(トリプルレベルセル)より高い信頼性を備えています。

ウィンボンド・エレクトロニクスの新しい高性能シリアルNANDは、既存のパラレルNANDやシリアルNANDよりも4倍の高速読み出しが可能です。データ転送速度は、競合のNANDフラッシュをはるかに上回る83MB / 秒で、インスツルメント・クラスタの起動時間を短縮します。

ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社
OctalNANDフラッシュメモリ
ウィンボンド・エレクトロニクス株式会社
QspiNANDフラッシュメモリ
技術記事:超高速書き込みを実現したシリアルNANDフラッシュ_車載コードのOTAアップデートを可能にする新たな選択肢
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